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TPW80R300MFD
1个N沟道 耐压:800V 电流:17A
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- 描述
- 超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它依据超结（SJ）原理设计并首创。多外延超结MOSFET提供了极快速且耐用的体二极管。同时，它还提供了一种具有极低开关、通信和传导损耗的器件，其高耐用性尤其适用于谐振开关
- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TPW80R300MFD
- 商品编号
- C883503
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.965克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@10V,8.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 151W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42.95nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8309nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.88pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它依据超结原理设计并率先推出。多外延超结MOSFET提供了极快速且耐用的体二极管。此外，该器件还具有极低的开关、通信和传导损耗，且耐用性极高，这使得它尤其能让谐振开关应用更加可靠、高效、轻便且散热更佳。
商品特性
- 超快体二极管
- 极低的品质因数RDS(on) × Qg
- 易于使用/驱动
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- TO-247封装
应用领域
- 开关模式电源 (SMPS)
- 不间断电源 (UPS)
- 功率因数校正 (PFC)
- LLC半桥
- 低功率充电器和适配器