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CSD13201W10
1个N沟道 耐压:12V 电流:1.6A
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- 描述
- CSD13201W10 采用 1mm x 1mm WLP 封装的单通道、34mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD13201W10
- 商品编号
- C882837
- 商品封装
- DSBGA-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.013克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 462pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
产品型号:CSD13201W10N 通道 NexFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)此器件设计用于在超低高度并具有出色散热特性的尽可能小外形尺寸封装内产生最低的导通电阻和栅极电荷。
商品特性
- 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
- 小型封装尺寸 1 mm × 1 mm
- 低高度（高度为 0.62 mm）
- 无铅
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 栅-源电压钳位
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护