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IRFR420BT-VB
1个N沟道 耐压:650V 电流:4.5A
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- 描述
- 特性：低栅极电荷Qg，驱动要求简单。改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。完全表征了电容、雪崩电压和电流。符合RoHS指令2002/95/EC
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFR420BT-VB
- 商品编号
- C878947
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.358克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 40V、80A
- 栅源电压VGS = 10 V时，漏源导通电阻RDS(ON) = 6.8 mΩ（典型值）
- 栅源电压VGS = 4.5 V时，漏源导通电阻RDS(ON) = 9.5 mΩ（典型值）
- 高密度单元设计，实现超低漏源导通电阻RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高单脉冲雪崩能量EAS下具有良好的稳定性和均匀性
- 出色的封装，利于散热
应用领域
- 负载开关
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源