2N7002E-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:250mA
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描述
台积电流片,长电科技封装;这是一款单N沟道MOSFET,采用Trench工艺,适用于低功率电路应用;列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23;N—Channel沟道,60V;0.25A;RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=1~2.5V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
2N7002E-VB商品编号
C878977商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.045克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 250mA | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.8Ω@10V,200mA | |
功率(Pd) | 300mW |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 400pC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 25pF@25V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 2pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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