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AP55T10GH-VB
1个N沟道 耐压:100V
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- 描述
- 特性：Trench Power MOSFET。 100% Rg 和 UIS 测试。应用：初级侧开关隔离式 DC/DC 转换器
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AP55T10GH-VB
- 商品编号
- C878982
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18.5mΩ@10V,60A | |
| 耗散功率(Pd) | 136.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |