P1504EDG-VB
1个P沟道 耐压:40V 电流:50A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单路P型MOSFET,采用Trench工艺,适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中,为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252;P—Channel沟道,-40V;-50A;RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3.5V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
P1504EDG-VB商品编号
C878962商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
0.4克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
连续漏极电流(Id) | 50A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 12mΩ@10V,50A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
功率(Pd) | - | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | - | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | - | |
输入电容(Ciss@Vds) | - | |
反向传输电容(Crss@Vds) | - |
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