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FDD2572-VB
1个N沟道 耐压:150V 电流:25.4A
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- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。 极低的栅漏电荷 (Qgd)，可降低开关损耗。 100% 进行栅极电阻 (Rg) 测试。 100% 进行雪崩测试。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC。应用：初级侧开关
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDD2572-VB
- 商品编号
- C878975
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.54克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 74mΩ@10V,25.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 5.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28.5nC@10V；23nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.735nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 极低的Qgd，可降低开关损耗
- 100%进行Rg测试
- 100%进行雪崩测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 初级侧开关