SI6475DQ-VB
1个P沟道 耐压:20V 电流:9A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单P型MOSFET,采用Trench技术,适用于多种电源和功率控制应用。TSSOP8;P—Channel沟道,-20V;-9A;RDS(ON)=10mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V;Vth=-0.45~1V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI6475DQ-VB商品编号
C878961商品封装
TSSOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.095克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 9A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 12mΩ@4.5V,9A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
功率(Pd) | - | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | - | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | - | |
输入电容(Ciss@Vds) | - | |
反向传输电容(Crss@Vds) | - |
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