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SI6475DQ-VB

环保标识
  • 1个P沟道 耐压:20V 电流:9A

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    台积电流片,长电科技封装;是一款单P型MOSFET,采用Trench技术,适用于多种电源和功率控制应用。TSSOP8;P—Channel沟道,-20V;-9A;RDS(ON)=10mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V;Vth=-0.45~1V;

  • 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
  • 商品型号

    SI6475DQ-VB
  • 商品编号

    C878961
  • 商品封装

    TSSOP-8
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.095克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)12mΩ@4.5V,9A
属性参数值
功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th)@Id)-
栅极电荷(Qg@Vgs)-
输入电容(Ciss@Vds)-
反向传输电容(Crss@Vds)-

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