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IRL520NP-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:18A
- 描述
- 特性：沟槽功率MOSFET。 结温175℃。 低热阻封装。 100%进行Rg测试。应用：隔离式DC/DC转换器
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRL520NP-VB
- 商品编号
- C878769
- 商品封装
- TO-220AB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 127mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 105W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 175 °C结温
- 低热阻封装
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
应用领域
- 隔离式DC/DC转换器