IRF630MFP-VB
1个N沟道 耐压:200V 电流:10A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单通道N型MOSFET,具有可靠的性能和高质量的制造,采用Trench工艺制造,适用于电源模块、电动车充电器、工业自动化和UPS系统等领域的各种模块。TO220F;N—Channel沟道,200V;10A;RDS(ON)=265mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRF630MFP-VB商品编号
C878780商品封装
TO-220F-3包装方式
管装
商品毛重
2.38克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 200V | |
连续漏极电流(Id) | 10A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 265mΩ@10V,10A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
功率(Pd) | - | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | - | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | - | |
输入电容(Ciss@Vds) | - | |
反向传输电容(Crss@Vds) | - |
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