SSP70N10A-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:70A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应管,采用Trench工艺制造,适用于需要高功率、高效能量转换和可靠性能的领域和模块,如电源模块、电动工具、汽车电子和工业自动化等。TO220;N—Channel沟道,100V;70A;RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SSP70N10A-VB商品编号
C878802商品封装
TO-220AB-3包装方式
管装
商品毛重
2.73克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
连续漏极电流(Id) | 70A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 18mΩ@10V,30A | |
功率(Pd) | 355W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
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