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AP9971GI-VB

环保标识
  • 1个N沟道 耐压:60V 电流:45A

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道MOSFET,采用Trench工艺,具有高压、高电流的特点,适用于多种功率电路设计。TO220F;N—Channel沟道,60V;45A;RDS(ON)=27mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;

  • 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
  • 商品型号

    AP9971GI-VB
  • 商品编号

    C878822
  • 商品封装

    TO-220F-3
  • 包装方式

    管装

  • 商品毛重

    2.35克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)45A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)27mΩ@10V,45A
属性参数值
功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th)@Id)-
栅极电荷(Qg@Vgs)-
输入电容(Ciss@Vds)-
反向传输电容(Crss@Vds)-

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