温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AP9971GI-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:45A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，具有高压、高电流的特点，适用于多种功率电路设计。TO220F；N—Channel沟道,60V；45A；RDS(ON)=27mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AP9971GI-VB
- 商品编号
- C878822
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.35克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@10V,45A | |
| 耗散功率(Pd) | 62W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 95nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 720pF |
商品特性
- 隔离封装
- 高电压隔离 = 2.5 kV_RMS (t = 60 s; f = 60 Hz)
- 焊盘至引脚爬电距离 = 4.8 mm
- 工作温度 175 °C
- 动态 dV/dt 额定值
- 低热阻
- 提供无铅 (Pb) 版本