RU7088R-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:120A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应晶体管,采用Trench技术,设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220;N—Channel沟道,60V;120A;RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
RU7088R-VB商品编号
C878832商品封装
TO-220AB-3包装方式
管装
商品毛重
2.72克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 120A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5mΩ@10V,20A | |
功率(Pd) | 136W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 47nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 6.65nF@25V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 325pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
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