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2SJ681-VB
1个P沟道 耐压:40V 电流:55A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型Trench技术MOSFET，适用于电源管理、电动车辆、LED照明和工业控制设备等多种领域和模块，为各种应用场景提供高性能的功率开关解决方案。TO251；；N—Channel沟道,-60V；-20A；RDS(ON)=66mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 2SJ681-VB
- 商品编号
- C878795
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |