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IRFU120NP-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:12A
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- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。可提供卷带包装。动态 dV/dt 额定值。重复雪崩额定值。175℃工作温度。快速开关。易于并联
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFU120NP-VB
- 商品编号
- C878776
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.31克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@10V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 360pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 提供卷带包装
- 动态 dV/dt 额定值
- 重复雪崩额定值
- 工作温度可达 175 °C
- 快速开关
- 易于并联
- 符合 RoHS 标准
- 提供无卤版本