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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |
商品概述
SSS2N60是一款高压MOSFET，具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效DC - DC转换器和桥接电路等高速开关应用。
商品特性
- RDS(ON) = 3.8Ω @VGS = 10V
- 超低栅极电荷（典型值9.0nC）
- 低反向传输电容（Crss = 典型值5.0pF）
- 快速开关能力
- 规定雪崩能量
- 改善dv/dt能力，高抗扰性
应用领域
- 电源-PWM电机控制-高效DC-DC转换器-桥接电路
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