- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V；12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A；4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@4.5V；50mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 6.5W；6.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V；1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.6nC；8.2nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 500pF；590pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF；250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF；160pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟道型场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 新型热增强型PowerPAK SC-70封装
- 占用面积小
- 导通电阻低
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
-便携式设备的负载开关