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10N60
停产 N沟道MOSFET，低栅极电荷、低Crss、开关速度快、高抗dv/dt能力、经过雪崩测试、RoHS产品
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- 品牌名称
- TF(拓锋)
- 商品型号
- 10N60
- 商品编号
- C845396
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.932克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 660mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 178W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.61nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 156pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容(典型值 20pF)
- 快速开关
- 100% 雪崩测试
- 改善的 dv/dt 能力
- 符合 RoHS 标准的产品
应用领域
-高效开关模式电源-基于半桥的电子灯镇流器-不间断电源