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TC5091B
高精度内置MOSFET锂电池保护电路
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- 描述
- TC5091B 电路是一款高精度的单节内置MOSFET 可充电锂电池的保护电路，它集高精度过电压充电保护、过电压放电保护、过电流充放电保护等性能于一身。 正常状态下，TC5091B 的VDD 端电压在过电压充电保护阈值（VOC）和过电压放电保护阈值（VOD）之间，且其VM 检测端电压在充电器检测电压（VCHG）与过电流放电保护阈值（VEDI）之间，此时TC5091B 使内置N-MOS 管导通。这时，既可以使用充电器对电池充电，也可以通过负载使电池放电。
- 品牌名称
- FM(富满)
- 商品型号
- TC5091B
- 商品编号
- C841296
- 商品封装
- UDFN-4-EP(1x1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.019克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 电池管理 | |
| 芯片类型 | 保护芯片 | |
| 工作电压 | 1.5V~6V | |
| 最大充电电流 | - | |
| 充电饱和电压 | 4.3V | |
| 放电截止电压 | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 电池类型 | 锂电池 | |
| 电池节数 | 1 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 0V电池充电 | 支持 | |
| 静态电流(Iq) | 10nA |
商品概述
TC5091B 电路是一款高精度的单节内置MOSFET 可充电锂电池的保护电路，它集高精度过电压充电保护、过电压放电保护、过电流充放电保护等性能于一身。 正常状态下，TC5091B 的VDD 端电压在过电压充电保护阈值（VOC）和过电压放电保护阈值（VOD）之间，且其VM 检测端电压在充电器检测电压（VCHG）与过电流放电保护阈值（VEDI）之间，此时TC5091B 使内置N-MOS 管导通。这时，既可以使用充电器对电池充电，也可以通过负载使电池放电。 TC5091B 通过检测VDD 或VM 端电压（相对于GND 端）来进行过充/放电保护。当充/放电保护条件发生时，内置N-MOS 由导通变为截止，从而充/放电过程停止。 TC5091B 对每种保护状态都有相应的恢复条件，当恢复条件满足以后，内置N-MOS 由截止变为导通，从而进入正常状态。 TC5091B 对每种保护/恢复条件都设置了一定的延迟时间，只有在保护/恢复条件持续到相应的时间以后，才进行相应的保护/恢复。如果保护/恢复条件在相应的延迟时间以前消除，则不进入保护/恢复状态。 TC5091B 工作时功耗非常低，采用非常小的DFN-4L(1×1×0.5)的封装，使得该芯片非常适合应用于空间限制小的可充电电池组应用。
商品特性
- 单节锂离子或锂聚合物电池的理想保护电路
- 内置低导通内阻N-MOSFET
- 高精度的过充电保护电压检测 4.30V±50mV
- 高精度的过放保护电压检测 2.8V±75mV
- 高精度过电流放电保护检测
- 电池短路保护
- 有0V 充电
- 带有过充、过放自动恢复功能
- 低功耗工作电流3μA，休眠电流0.01μA
- 超小型化的DFN-4L(1×1×0.5)
- MOSFET: RSS(on) < 72mΩ (VGS = 3.7V, ID = 1A)
应用领域
- 锂电池的充电、放电保护电路
- 电话机电池或其它锂电池高精度保护器
优惠活动
购买数量
(6000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个6000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交4单