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4080K
N沟道沟槽型功率MOSFET
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- 描述
- 特性：40V，80A。 RDS(ON)=6.8mΩ (Typ.) @ VGS=10V。 RDS(ON)=9.5mΩ (Typ.) @ VGS=4.5V。 高密度单元设计，实现超低RDS(ON)。 完全表征雪崩电压和电流。 高EAS下具有良好的稳定性和均匀性。应用：负载开关。 硬开关和高频电路
- 品牌名称
- FM(富满)
- 商品型号
- 4080K
- 商品编号
- C841305
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V；9.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.65V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.246nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 176pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 195pF |
商品特性
- 40V、80A
- RDS(ON) = 6.8 m Ω(典型值),VGS = 10 V
- RDS(ON) = 9.5 m Ω(典型值),VGS = 4.5 V
- 高密度单元设计,实现超低RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高EAS下稳定性和一致性良好
- 散热性能出色的封装
应用领域
- 负载开关
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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