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6888K
1个N沟道 耐压:68V 电流:80A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，可用于各种应用。
- 品牌名称
- FM(富满)
- 商品型号
- 6888K
- 商品编号
- C841306
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.345克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 68V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.9mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 108W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.988nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 312pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
6888K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可应用于各种领域。
商品特性
- 极低的导通电阻RDS(ON)：典型值RDS(ON) = 7.9mΩ（VGS = 10 V，Id = 30 A时）
- 低栅极电荷（典型值75 nC）
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试