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CRST030N10N

SkyMOS1 N沟道MOSFET,100V、2.5mΩ、180A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:使用CRM(CQ)先进的SkyMOS1技术。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的Qg × RDS(on)乘积(FOM)。 符合JEDEC标准。应用:AC/DC快速充电器的同步整流。 电池管理
品牌名称
CRMICRO(华润微)
商品型号
CRST030N10N
商品编号
C841369
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.835克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)180A
导通电阻(RDS(on))2.3mΩ@10V
耗散功率(Pd)227W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)169nC@10V
输入电容(Ciss)11.355nF
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.446nF

商品特性

  • 采用CRM(CQ)先进SkyMOS1技术
  • 极低导通电阻RDS(on)
  • 出色的Qg x RDS(on)乘积(品质因数FOM)
  • 符合JEDEC标准

应用领域

  • AC/DC快充同步整流-电池管理-UPS(不间断电源)

数据手册PDF