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2060K.
N沟道沟槽型功率MOSFET
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- 描述
- 2060K采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于多种应用场景。
- 品牌名称
- FM(富满)
- 商品型号
- 2060K.
- 商品编号
- C841300
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.424克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 64W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.85nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 285pF | |
| 工作温度 | -55℃~+155℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 365pF |
商品概述
2060K采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于多种应用。
商品特性
- VDS = 20 V；ID = 60 A；在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 6.0 mΩ
- 在VGS = 2.5 V时，RDS(ON) < 8.2 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
应用领域
- 电池保护-负载开关-电源管理