3060K
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 品牌名称
- FM(富满)
- 商品型号
- 3060K
- 商品编号
- C841302
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.436克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 65W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.45nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 185pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
3060K采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至5V的栅极电压下工作。该器件适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 60A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 7mΩ
- 当VGS = 5V时,RDS(ON) < 12mΩ
- 具备高功率和大电流处理能力
- 产品为无铅产品
- 采用表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
