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2SK216-VB
1个N沟道 耐压:200V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适合用于电动汽车充电桩中的充电模块。TO220；N—Channel沟道,200V；50A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=3.5~5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
2SK216-VB商品编号
C7568967商品封装
TO-220包装方式
管装
商品毛重
2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 36mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V |
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