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4N0403 TO220-VB
1个N沟道 耐压:40V 电流:110A
- 描述
- TO220；N—Channel沟道,40V；110A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 4N0403 TO220-VB
- 商品编号
- C7568972
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.13W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.9nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 310pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 750pF |
商品特性
~~- 动态dv/dt额定值-重复雪崩额定-隔离式中心安装孔-快速开关-易于并联-驱动要求简单-符合RoHS指令2002/95/EC