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AON6407-VB

环保标识
  • 1个P沟道 耐压:30V

  • 描述

    台积电流片,长电科技封装;是一款单P型场效应晶体管,采用Trench工艺制造,适用于DC-DC转换器、电源开关和逆变器、高效率和高功率密度的应用中。DFN8(5X6);P—Channel沟道,-30V;-100A;RDS(ON)=3.2mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;

  • 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
  • 商品型号

    AON6407-VB
  • 商品编号

    C7568979
  • 商品封装

    DFN-8(5x6)
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.26克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
属性参数值
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.9mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.3V

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