AON6407-VB
1个P沟道 耐压:30V
描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单P型场效应晶体管,采用Trench工艺制造,适用于DC-DC转换器、电源开关和逆变器、高效率和高功率密度的应用中。DFN8(5X6);P—Channel沟道,-30V;-100A;RDS(ON)=3.2mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
AON6407-VB商品编号
C7568979商品封装
DFN-8(5x6)包装方式
编带
商品毛重
0.26克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.9mΩ@10V | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.3V |
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