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AOTF7N70-VB
1个N沟道 耐压:700V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，采用Plannar技术，适用于各种电子领域和模块。TO220F；N—Channel沟道,700V；7A；RDS(ON)=750mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2.5~4.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
AOTF7N70-VB商品编号
C7568981商品封装
TO-220F包装方式
管装
商品毛重
1.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 800mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V |
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