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FDB8880-NL-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:70A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种电源和功率控制应用。TO263；N—Channel沟道,30V；70A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1.5~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDB8880-NL-VB
- 商品编号
- C7568992
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.225克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V；8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 71W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF@25V | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
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