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FQPF13N50CF-VB
1个N沟道 耐压:550V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Plannar技术制造。适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。TO220F；N—Channel沟道,550V；18A；RDS(ON)=260mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
FQPF13N50CF-VB商品编号
C7569006商品封装
TO-220F包装方式
管装
商品毛重
3.51克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 550V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 260mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V |
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