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FQT3P20TF-VB
1个P沟道 耐压:200V 电流:2A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款具有多种特性和应用领域的单P型Trench技术的场效晶体管，适用于多种领域和模块。SOT223；P—Channel沟道,-200V；-2A；RDS(ON)=800mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-2.5~-4.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FQT3P20TF-VB
- 商品编号
- C7569007
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.285克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V；900mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 370pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 28pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 极低的 Qgd，开关损耗小
- 100% 进行 Rg 测试
- 100% 进行雪崩测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 初级侧开关-N 沟道 MOSFET
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