2SK2632LS-VB
1个N沟道 耐压:850V
描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单通道N沟道功率MOSFET,采用了Plannar技术,适用于高压高功率的应用,并具有较低的导通电阻和较高的漏极电流承受能力。TO220F;N—Channel沟道,850V;5.5A;RDS(ON)=2400mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
2SK2632LS-VB商品编号
C7568968商品封装
TO-220F包装方式
管装
商品毛重
4.23克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 850V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
导通电阻(RDS(on)) | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
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