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2SK2632LS-VB

环保标识
  • 1个N沟道 耐压:850V

    • 描述

      台积电流片,长电科技封装;是一款单通道N沟道功率MOSFET,采用了Plannar技术,适用于高压高功率的应用,并具有较低的导通电阻和较高的漏极电流承受能力。TO220F;N—Channel沟道,850V;5.5A;RDS(ON)=2400mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;

    • 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
    • 商品型号

      2SK2632LS-VB
    • 商品编号

      C7568968
    • 商品封装

      TO-220F
    • 包装方式

      管装

    • 商品毛重

      4.23克(g)

    • 商品参数

    属性参数值
    商品目录场效应管(MOSFET)
    类型1个N沟道
    漏源电压(Vdss)850V
    属性参数值
    导通电阻(RDS(on))-
    阈值电压(Vgs(th))3.5V

    数据手册PDF

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