2N7002BKT-VB
1个N沟道 耐压:60V
描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N型场效应晶体管,采用Trench技术,适用于各种电子电路中的功率控制和开关应用。SC75-3;N—Channel沟道,60V;0.33A;RDS(ON)=1200mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=1~2.5V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
2N7002BKT-VB商品编号
C7568750商品封装
SC75-3包装方式
编带
商品毛重
0.064克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.1Ω@10V | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 300mV |
梯度价格
梯度
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