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FDMS86200-VB
1个N沟道 耐压:150V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，在轻型电动车、智能家居、医疗设备和LED照明等领域的广泛应用。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,150V；53.7A；RDS(ON)=15.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
FDMS86200-VB商品编号
C7568757商品封装
DFN-8(5x6)包装方式
编带
商品毛重
0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 20mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V |
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