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FDMS86200-VB
1个N沟道 耐压:150V
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，在轻型电动车、智能家居、医疗设备和LED照明等领域的广泛应用。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,150V；53.7A；RDS(ON)=15.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDMS86200-VB
- 商品编号
- C7568757
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 53.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.8mΩ@10V；18.8mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22.8nC@7.5V；31.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.286nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 327pF |
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