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SI7139DP-T1-GE3-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:31.6A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-120A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI7139DP-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C7568768
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 6.95W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@4.5V；130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.215nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.375nF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 表面贴装
- 提供卷带包装
- 动态dV/dt额定值
- 逻辑电平栅极驱动
- 快速开关
- 符合RoHS指令2002/95/EC