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MDV3604URH-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:47.3A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench技术，适合在有限空间内应用。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-60A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- MDV3604URH-VB
- 商品编号
- C7568783
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.255克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 47.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟槽功率MOSFET
- 低热阻功率封装,尺寸小,高度仅1.07 mm
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
-负载开关-适配器开关-笔记本电脑