温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BUK9230-100B-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:9.2A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- BUK9230-100B-VB
- 商品编号
- C7568755
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.505克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 针对高端同步整流器操作进行优化
- 100% Rq测试
- 100% UIS测试
应用领域
- 笔记本电脑CPU核心-高端开关
相似推荐
其他推荐
- DMP2305UQ-7-VB
- FDMS86200-VB
- HUFA76429D3ST_F085-VB
- IPD30N06S2-23-VB
- IRF510STRL-VB
- IRFU310PBF-VB
- IRLZ34NSPBF-VB
- MEM2303XG-VB
- QM3006M3-VB
- SI2303BDS-T1-GE3-VB
- SI4497DY-VB
- SI4539ADY-T1-GE3-VB
- SI7139DP-T1-GE3-VB
- SiHB12N60E-GE3-VB
- SSM3K16FS-VB
- SSM3K336R-VB
- SUD50P04-13L-GE3-VB
- SUP65P06-20-VB
- AO4800B-VB
- IRFI740GPBF-VB
- EMB50P03J-VB