AOB416-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:45A
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道功率MOSFET,具有高性能和可靠性,采用Trench工艺制造,适合要求高效率和高功率的电源和驱动器应用。TO263;N—Channel沟道,100V;45A;RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AOB416-VB
- 商品编号
- C7568752
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.49克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 127W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 410pF |
优惠活动
购买数量
(50个/管,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个50个/管
总价金额:
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