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AO4618-VB
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P型MOSFET，采用了Trench技术，适用于各种电源管理和功率控制应用场景。SOP8；N+P—Channel沟道,±40V；12/-10A；RDS(ON)=10/13mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1/-0.9~2.2/-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AO4618-VB
- 商品编号
- C7525055
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.6W | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.321nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 214pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合欧盟RoHS指令2011/65/EU
应用领域
- 或门应用-服务器-直流/直流转换