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IRF540PBF-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:55A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，具有高性能和可靠性，适用于各种功率电子应用，高效率和高功率的电源和驱动器应用。TO220；N—Channel沟道,100V；55A；RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF540PBF-VB
- 商品编号
- C7524890
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.732克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 127W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 270pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于发动机管理系统、车身控制电子设备和DC-DC转换器。
商品特性
- 额定温度达+175°C，适用于高环境温度环境
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关（UIS）测试，确保终端应用更可靠、更耐用
- 散热效率高的封装，使应用运行更凉爽
- 高转换效率
- 低导通电阻RDS(ON)，将导通状态损耗降至最低
- 封装高度小于1.1mm，适用于轻薄型应用
- 无铅镀层，符合RoHS标准
- 无卤和无锑，为“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用；该产品符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产
应用领域
- 发动机管理系统
- 车身控制电子设备
- DC-DC转换器
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