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FDMA420NZ-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.5A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于需要小型尺寸和低功率的应用场合，能够在紧凑空间内提供可靠的功率控制和稳定性。DFN6(2X2)；N—Channel沟道,30V；6A；RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDMA420NZ-VB
- 商品编号
- C7524895
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.022克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.2nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 424pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 低热阻新型封装
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS标准