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IRF7492TRPBF-VB
1个N沟道 耐压:200V 电流:5.2A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款高耐压N通道MOSFET，采用Trench技术，适用于需要处理高电压和高电流的应用领域。SOP8；N—Channel沟道,200V；5.2A；RDS(ON)=65mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF7492TRPBF-VB
- 商品编号
- C7524910
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合欧盟RoHS指令2011/65/EU
应用领域
- 或门操作-服务器-直流-直流转换器
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