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SI4100DY-T1-E3-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:9A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于需要小型化和高集成度的应用。SOP8；N—Channel沟道,100V；9A；RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI4100DY-T1-E3-VB商品编号
C7524931商品封装
SOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.161克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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