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AP4424GM-VB
1个N沟道 耐压:20V 电流:13A
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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
AP4424GM-VB商品编号
C7524915商品封装
SOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.118克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 8mΩ@10V,10A | |
| 功率(Pd) | 4.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 6.8nC@5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 800pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 73pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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