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CSD16411Q3-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:40A
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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于电源模块、电动车电机控制器、光伏逆变器等领域。DFN8(3X3)；N—Channel沟道,30V；30A；RDS(ON)=13mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
CSD16411Q3-VB商品编号
C7524924商品封装
DFN-8(3x3)包装方式
编带
商品毛重
0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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