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DMG4800LK3-13-VB

1个N沟道耐压:30V 电流:70A

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描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,30V；70A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2V；
品牌名称: VBsemi(微碧半导体)
商品型号: DMG4800LK3-13-VB
商品编号: C7524888
商品封装: TO-252
包装方式: 编带
商品毛重: 0.387克(g)

商品参数

AGMH12H05H 将先进的沟槽 MOSFET 技术与低电阻封装相结合，可实现极低的 RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。