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LF21844NTR-JSM

700V大电流高、低侧MOSFET/IGBT驱动芯片

描述: 单相,大电流,死区可调,半桥式栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱
品牌名称: JSMSEMI(杰盛微)
商品型号: LF21844NTR-JSM
商品编号: C7498951
商品封装: SOP-14
包装方式: 编带
商品毛重: 0.192克(g)

商品参数

商品概述

LF21844N是高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动系列芯片，逻辑地与功率地分离，可以更好的减少功率级噪声对逻辑电路的干扰。通过外部电阻可以灵活配置死区时间。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。LF21844N采用SOP-14封装，可以在-40°C至125°C温度范围内工作。

商品特性

自举工作的浮动通道
最高工作电压为700V
兼容3.3V和5V输入逻辑
单输入（IN）双输出逻辑
关断输入逻辑可同时关闭高低侧输出
死区时间可通过外部电阻（RDT）调节：
- DT = 400ns@RDT = 0
- DT = 5μs@RDT = 200kΩ
dV/dt误动作防止功能
栅极驱动电压：10V到20V
高、低侧欠压锁定电路
- 欠压锁定正向阈值8.9V
- 欠压锁定负向阈值8.2V
高低侧延时匹配
逻辑地与功率地分离
驱动电流能力：
- 拉电流/灌电流 = 4A/4A
符合RoSH标准
SOP-14封装

应用领域

通用逆变器
交流和直流电源中的半桥和全桥转换器
用于服务器、电信、IT和工业基础设施的高密度开关电源
太阳能逆变器、电机驱动器和UPS

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购买数量

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	灌电流(IOL)	4A
	拉电流(IOH)	4A

	属性	参数值
	工作电压	10V~20V
	下降时间(tf)	17ns
	特性	欠压保护(UVP)；过压保护(OVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	200uA