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BP6830实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BP6830

带LDO的三相PMOS+NMOS半桥驱动芯片

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描述
三相高速功率MOSFET驱动器
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
BP6830
商品编号
C7498955
商品封装
SOP-16​
包装方式
编带
商品毛重
0.2085克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置三相;半桥;全桥
负载类型MOSFET
驱动通道数6
灌电流(IOL)300mA
拉电流(IOH)50mA
属性参数值
工作电压5V~28V
上升时间(tr)300ns
下降时间(tf)60ns
特性欠压保护(UVP);过热保护(OPT)
工作温度-40℃~+125℃
静态电流(Iq)500uA

商品概述

BP6830是一款三相高速功率MOSFET驱动器,具有6个通道,最高工作电压可达40V。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。逻辑兼容CMOS或LSTTL输出,低至3.3V逻辑输入。此外,采用内置死区功能来避免高压侧交叉导通。BP6830为PMOS和NMOS输出10V门电源电压,为了简化PCB设计,BP6830中集成了一个5V/40mA的LDO,用于为MCU或其他芯片供电。此外出于安全考虑,BP6830还集成了热关闭保护。BP6830为SOP-16封装,可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。

商品特性

  • PIN MOS半桥式三相输出
  • 最高工作电压可达40V
  • 兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
  • dv/dt耐受能力可达±50V/ns
  • PINMOS |VGS|可达10V
  • 内置5V/40mA LDO
  • 内置过温保护功能
  • 栅极驱动电压:5V至40V
  • 宽温度范围 -40~125°C
  • 防直通逻辑,内置130ns死区时间
  • 芯片开通关断延时特性,Ton/Toff = 80ns/30ns,高低侧延时匹配
  • 驱动电流能力,拉电流/灌电流 = 50mA/300mA
  • 内置欠压锁定电路,欠压锁定正向阈值4.5V,欠压锁定负向阈值4.3V
  • 符合RoSH标准
  • SOP16

应用领域

  • 中小型功率电机驱动
  • 功率MOSFET驱动
  • 半桥/全桥电源转换器
  • 任何互补驱动转换器

数据手册PDF

优惠活动

  • 6

    购买数量

    (2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
    起订量:1 个2500个/圆盘

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