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TF21814M-TR-JSM

700V大电流高、低侧MOSFET/IGBT驱动芯片

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描述: 驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱
品牌名称: JSMSEMI(杰盛微)
商品型号: TF21814M-TR-JSM
商品编号: C7498986
商品封装: SOP-14
包装方式: 编带
商品毛重: 0.196克(g)

商品参数

商品概述

TF21814M是高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动系列芯片，具有两个独立传输通道，逻辑地与功率地分离，可以更好的减少功率级噪声对逻辑电路的干扰。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。TF21814M采用SOP-14封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

商品特性

自举工作的浮动通道最高工作电压为700V
兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
dV/dt耐受能力可达±50V/nsec
Vs负压耐受能力达-9V
栅极驱动电压：10V到20V
高、低侧欠压锁定电路
- 欠压锁定正向阈值8.9V
- 欠压锁定负向阈值8.2V
芯片开通/关断传输延时
- Ton/Toff = 130ns/130ns
高低侧延时匹配
驱动电流能力
- 拉电流/灌电流 = 4.0A/4.0A
符合RoSH标准
SOIC14(S)

应用领域

电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
微型逆变器驱动程序

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	4A
	拉电流(IOH)	4A

	属性	参数值
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	40ns
	下降时间(tf)	20ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	150uA