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JSM2000G
250V快速高压侧NMOS静态开关驱动器
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- 描述
- 100%占空比，适合高频开关应用或者要求快速接通或关断时间的静态开关应用，高边开关控制器、静态开关驱动器、开关电源、光伏关断器等
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- JSM2000G
- 商品编号
- C7498994
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 高边 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | - | |
| 灌电流(IOL) | 260mA | |
| 拉电流(IOH) | 290mA | |
| 工作电压 | 4.5V~20V | |
| 上升时间(tr) | 70ns | |
| 下降时间(tf) | 30ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP)；过压保护(OVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 120uA | |
| 功能特性 | 充电泵升压 |
商品概述
JSM2000G是一款快速、高压侧N沟道MOSFET栅极驱动器，可在高达250V的输入电压下工作。该器件采用一种负责全面增强外部N沟道MOSFET开关的充电结构，使其能够无限期地保持导通状态。其强大的驱动器能够轻松驱动大栅极电容，实现极短的转换时间，因此非常适合高频开关应用或要求快速接通和/或关断时间的静态开关应用。该器件采用SOP-8封装，工作温度范围为-40℃至125℃。
商品特性
- 宽工作输入电压范围：最高250V
- 针对快速导通和关断通道，传输延迟为150ns
- 内置高压侧充电电路，可实现100%占空比
- 可调导通占空比
- 栅极驱动器电源电压范围为4.5V至20V
- 输入电压过压闭锁
- 驱动器电源欠压闭锁
- 欠压锁定正向阈值为4.2V
- 欠压锁定负向阈值为4V
- 兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
- 负压耐受能力达-9V
- 宽工作温度范围：-40℃ ~ 125℃
- 输出级拉电流/灌电流能力为290mA/600mA
- 符合RoHS标准，采用SOP-8封装
应用领域
- 高边开关控制器
- 静态开关驱动器
- 负载和电源开关驱动器
- 电子阀驱动器
- 高频高压侧栅极驱动器
- 光伏关断器